ГлавнаяКомплектующиеSSD накопителиSSD накопители от 2Тб и выше
24591

накопитель Samsung SSD 4TB 870 QVO MZ-77Q4T0BW V-NAND 4-bit MLC, MKX, 2.5" SATA3

Артикул: 1794514

35 130

Привезем 24.09.24 в 10:00
по предварительному заказу

Гарантия 1 год

4 шт. / под заказ

Формат
Формат накопителя
2.5" (толщиной 7 мм)
Комплект поставки и опции
ПО в комплекте
Samsung Magician скачивайте с сайта Samsung
Опции (можно приобрести дополнительно)
Адаптер для установки SSD накопителя в отсек 3.5"
Совместимость
Рабочая температура
0 ~ 70 °C
Логистика
Размеры (ширина x высота x глубина)
70 x 7 x 100 мм
Вес
46 грамм
Размеры упаковки (измерено в НИКСе)
14.4 x 9.9 x 2.29 см
Вес брутто (измерено в НИКСе)
0.094 кг
Прочие характеристики
Страна изготовления товара
Китайская Народная Республика
Потребление энергии
5.5 Вт - максимальное; 3.2 Вт - среднее
Предупреждения
ПРЕДУПРЕЖДЕНИЕ
Для сервера данный накопитель не подходит из-за недостаточного ресурса; ; Ссылка на SSD для серверов
ПРЕДУПРЕЖДЕНИЕ о ресурсе SSD
При превышении параметра " Ресурс в TBW" или " Ресурс DWPD" , указанного в спецификации, устройство снимается с гарантии.; ; Проверить состояние SSD можно с помощью специальной утилиты . К быстрому исчерпанию ресурса приводит нецелевое использование SSD накопителя, например, майнинг.
Основные характеристики
Производитель
Samsung
Серия
870 QVO
Модель
MZ-77Q4T0BW
Тип оборудования
SSD для персональных компьютеров
Емкость накопителя
4 Тб
Отличительные особенности
Background Garbage Collection
Поддерживается
Поддержка TRIM
Есть
Надежность
Ресурс SSD (TBW)
1440 TBW
Ресурс DWPD
0.32 перезаписи всего объема накопителя в день (DWPD - Drive Writes Per Day)
Класс SSD
Для персональных компьютеров
MTBF
1.5 млн. часов
Максимальные перегрузки
1500G длительностью 0.5 мс
Интерфейс подключения к ПК
Интерфейс SSD
SATA 6Gb/ s (SATA-III)
Пропускная способность интерфейса
6 Гбит/ сек
Конфигурация
Контроллер
Samsung MKX
Тип чипов
3D QLC (Quad-Level Cell) ; ; В спецификациях Samsung указано " 4bit MLC" , т.е. 4bit multi-level cells - это и есть QLC, Quad-level cells с 4 битами информации на ячейку
Кэш
4 Гб Low Power DDR4 SDRAM
Параметры производительности
Скорость чтения
до 560 МБ/ сек
Скорость записи
до 530 МБ/ сек
Скорость записи 4Кб файлов IOmeter, глубина очереди=32
88000 IOPS при активированной технологии записи Intelligent TurboWrite
Внешний вид товара, его свойства и характеристики могут быть изменены производителем без предупреждения! Предоставленная информация не является договором или публичной офертой.
19.09.24
07:05:17