Максимальное количество циклов перезаписи в день (DWPD)
0.4
Максимальная скорость чтения
7000 МБ/ с
Максимальная скорость записи
800 МБ/ с
Время наработки на отказ
2000000 ч
Тип памяти NAND
3D TLC
Максимальная скорость произвольного чтения (4KB) (IOPS)
530000
Максимальная скорость произвольной записи (4KB) (IOPS)
32000
Латентность, чтение
70 мкс
Латентность, запись
29 мкс
Потребляемая мощность
5.77 Вт
Толщина товара
8.3 мм
Поддержка NVMe
ДА
Ресурс TBW
350 ТБ
Разъем
M.2
Ударостойкость при хранении
20 G
Вес устройства
10 грамм
Ключ M.2 разъема
M
Длина товара
80 мм
Объем упаковки (ед)
0.000300482 м3
Ширина товара
22 мм
Внешний вид товара, его свойства и характеристики могут быть изменены производителем без предупреждения! Предоставленная информация не является договором или публичной офертой.
