Основные характеристики
Объем одного модуля, ГБ
16
Количество модулей в комплекте, шт
1
Эффективная частота, МГц
5600
Пропускная способность, Мб/ с
44800
Количество чипов на модуле, шт
10
Тайминги
RAS to CAS Delay (tRCD)
34
Row Precharge Delay (tRP)
34
Прочие характеристики
Напряжение питания, В
1.35
Нормальная операционная температура, °C
95
Особенности
AMD EXPO v1.1, Intel Extreme Memory Profiles (Intel XMP) 3.0
Комплект поставки
Модуль памяти
Внешний вид товара, его свойства и характеристики могут быть изменены производителем без предупреждения! Предоставленная информация не является договором или публичной офертой.
