Основные характеристики
Объем одного модуля, ГБ
8 ГБ
Количество модулей в комплекте, шт
2 шт
Эффективная частота, МГц
3200 МГц
Пропускная способность, Мб/ с
25600 Мб/ с
Количество чипов на модуле, шт
16 шт
Тайминги
RAS to CAS Delay (tRCD)
18
Row Precharge Delay (tRP)
18
Activate to Precharge Delay (tRAS)
38
Прочие характеристики
Напряжение питания, В
1.35 В
Нормальная операционная температура, °C
85 °C
Расширенная операционная температура, °C
95 °C
Комплект поставки
Модуль памяти 2 шт, документация
Внешний вид товара, его свойства и характеристики могут быть изменены производителем без предупреждения! Предоставленная информация не является договором или публичной офертой.
