Основные характеристики
Объем одного модуля, ГБ
16
Количество модулей в комплекте, шт
2
Эффективная частота, МГц
3600
Пропускная способность, Мб/ с
28800
Количество чипов на модуле, шт
8
Тайминги
RAS to CAS Delay (tRCD)
22
Row Precharge Delay (tRP)
22
Activate to Precharge Delay (tRAS)
38
Прочие характеристики
Напряжение питания, В
1.35
Комплект поставки
Модуль памяти 2шт., документация
Внешний вид товара, его свойства и характеристики могут быть изменены производителем без предупреждения! Предоставленная информация не является договором или публичной офертой.
